Si-based InAs/GaAs quantum dot FP-cavity lasers
思异半导体开发了一种在Si(001)衬底上直接异质外延生长III-V族材料并制备FP激光器的工艺。该硅基FP腔激光器采用量子点技术,可发出1300nm波长的激光。
相关工作参数如下:
输出功率:>30mW
工作温度:~90℃
激光峰值:1300nm(±20nm)