Si-based InAs/GaAs quantum dot FP-cavity lasers
思异半导体开发了一种在Si（001）衬底上直接异质外延生长III-V族材料并制备FP激光器的工艺。该硅基FP腔激光器采用量子点技术，可发出1300nm波长的激光。
相关工作参数如下：
输出功率：＞30mW
工作温度：~90℃
激光峰值：1300nm（±20nm）
