思异半导体与松山湖材料实验室、中科院物理所N09组合作开发的了一种新型的硅基光电子技术，该技术可以在Si衬底上生长直接带隙激光器并与衬底上的波导等无源器件直接耦合。
该技术方案解决了硅光芯片单片集成的问题，使得硅基上有源器件与无源器件可与CMOS工艺兼容，而且使得两者光学对准，有效提高了耦合效率和硅光芯片良品率。
该产品可定制化，详情请联系我们的专家服务团队。
