SOI-based InAs/GaAs quantum dot FP-cavity lasers
思异半导体开发了一种在CMOS兼容SOI衬底上生长III-V材料的新方法。本产品使用SOI为基底，InAs量子点为光源，FP腔为谐振腔，发出多纵模相干光的电泵浦发光器件。
相关工作参数如下：
输出功率：＞25mW
工作温度：~60℃
激光峰值：1300nm（±20nm）
