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硅基槽内单片集成技术
    发布时间: 2022-03-24 09:35    

    思异半导体与松山湖材料实验室、中科院物理所N09组合作开发的了一种新型的硅基光电子技术,该技术可以在Si衬底上生长直接带隙激光器并与衬底上的波导等无源器件直接耦合。

硅基槽内单片集成技术



  该技术方案解决了硅光芯片单片集成的问题,使得硅基上有源器件与无源器件可与CMOS工艺兼容,而且使得两者光学对准,有效提高了耦合效率和硅光芯片良品率。

  该产品可定制化,详情请联系我们的专家服务团队。

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